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CY7C1313KV18-333BZC

CY7C1313KV18-333BZC

数据手册.pdf

18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 333MHz 165-FBGA 13x15


立创商城:
CY7C1313KV18-333BZC


贸泽:
静态随机存取存储器 18MB 1Mx18 1.8v 333MHz DDR II 静态随机存取存储器


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


DeviceMart:
IC SRAM 1MX18 1.8V SYNC 165-FBGA


CY7C1313KV18-333BZC中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

CY7C1313KV18-333BZC引脚图与封装图
CY7C1313KV18-333BZC引脚图

CY7C1313KV18-333BZC引脚图

CY7C1313KV18-333BZC封装图

CY7C1313KV18-333BZC封装图

CY7C1313KV18-333BZC封装焊盘图

CY7C1313KV18-333BZC封装焊盘图

在线购买CY7C1313KV18-333BZC
型号 制造商 描述 购买
CY7C1313KV18-333BZC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 搜索库存
替代型号CY7C1313KV18-333BZC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY7C1313KV18-333BZC

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: FBGA

当前型号

18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture

当前型号

型号: CY7C1313KV18-250BZXI

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA-165

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