CY7C1313KV18-250BZI中文资料参数规格
技术参数
电源电压 1.7V ~ 1.9V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 LBGA-165
外形尺寸
封装 LBGA-165
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
CY7C1313KV18-250BZI引脚图与封装图 
CY7C1313KV18-250BZI引脚图
CY7C1313KV18-250BZI封装图
CY7C1313KV18-250BZI封装焊盘图
在线购买CY7C1313KV18-250BZI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CY7C1313KV18-250BZI | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture | 搜索库存 |
替代型号CY7C1313KV18-250BZI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CY7C1313KV18-250BZI 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： FBGA | 当前型号 | 18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture | 当前型号 |
| 型号： CY7C1313KV18-250BZC 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA-165 | 类似代替 | CY7C1313KV18 系列 18Mb 1M x 18 QDR® II SRAM 四字突发架构 | CY7C1313KV18-250BZI和CY7C1313KV18-250BZC的区别 |
| 型号： CY7C1313KV18-250BZXI 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA-165 | 类似代替 | 18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture | CY7C1313KV18-250BZI和CY7C1313KV18-250BZXI的区别 |
| 型号： CY7C1313KV18-250BZXC 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA | 类似代替 | SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165Pin FBGA Tray | CY7C1313KV18-250BZI和CY7C1313KV18-250BZXC的区别 |