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LM5104MX、LM5104M/NOPB、LM5104M对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM5104MX LM5104M/NOPB LM5104M

描述 Driver 1.8A 2Out Hi/Lo Side Full Brdg/Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC T/RMOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas InstrumentsTEXAS INSTRUMENTS  LM5104M  双路芯片, MOSFET, 半桥, 9V-14V电源, 1.8A输出, 25ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 600 ns 600 ns 600 ns

输出接口数 2 2 2

静态电流 400 µA 400 µA 400 µA

下降时间(Max) 600 ns 600 ns 600 ns

上升时间(Max) 600 ns 600 ns 600 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 9V ~ 14V 9V ~ 14V 9V ~ 14V

电源电压(DC) - 14.0V (max) 9.00V (min)

上升时间 - 600 ns 600 ns

下降时间 - 600 ns 600 ns

输出电压 - - 118 V

输出电流 - - 1.8 A

针脚数 - - 8

电源电压(Max) - - 14 V

电源电压(Min) - - 9 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.9 mm 3.9 mm

高度 - 1.45 mm 1.45 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Each

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99