MT47H256M8EB-25E:C、MT47H256M8EB-25E:C TR、W972GG8JB-25对比区别

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型号 MT47H256M8EB-25E:C MT47H256M8EB-25E:C TR W972GG8JB-25

描述 DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.8V 60Pin FBGA T/RDDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 11 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 60 60 60

封装 FBGA-60 FBGA-60 TFBGA-60

工作电压 1.80 V - -

供电电流 130 mA - 135 mA

时钟频率 400 MHz - -

位数 8 8 8

存取时间 400 ps 400 ps -

存取时间(Max) 0.4 ns 0.4 ns 0.4 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

封装 FBGA-60 FBGA-60 TFBGA-60

工作温度 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99