W972GG8JB-25

Winbond Electronics(华邦电子股份) 电子元器件分类

DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 11 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60

SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb（256M x 8）并联 200 MHz 400 ps 60-WBGA（11x11.5）

得捷:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60WBGA

艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.8V 60-Pin WBGA

Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.8V 60-Pin WBGA

W972GG8JB-25中文资料参数规格

技术参数

供电电流 135 mA

位数 8

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

W972GG8JB-25引脚图与封装图

W972GG8JB-25引脚图

在线购买W972GG8JB-25

型号	制造商	描述	购买
W972GG8JB-25	Winbond Electronics 华邦电子股份	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 11 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60	搜索库存

替代型号W972GG8JB-25

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： W972GG8JB-25 品牌： Winbond Electronics 华邦电子股份封装： TFBGA	当前型号	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 11 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60	当前型号
型号： W972GG8JB25I 品牌：华邦电子股份封装： TFBGA	类似代替	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 11 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60	W972GG8JB-25和W972GG8JB25I的区别
型号： MT47H256M8HG-37EIT:A 品牌：镁光封装：	功能相似	DDR DRAM, 256MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 11.50 X 14MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60	W972GG8JB-25和MT47H256M8HG-37EIT:A的区别
型号： MT47H256M8HG-25IT:A 品牌：镁光封装：	功能相似	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 11.50 X 14MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60	W972GG8JB-25和MT47H256M8HG-25IT:A的区别