MT47H256M8EB-25E:C TR
数据手册.pdfMicron(镁光)
主动器件
MT47H256M8EB-25E:C TR中文资料参数规格
技术参数
位数 8
存取时间 400 ps
存取时间Max 0.4 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 60
封装 FBGA-60
外形尺寸
封装 FBGA-60
物理参数
工作温度 0℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
MT47H256M8EB-25E:C TR引脚图与封装图
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在线购买MT47H256M8EB-25E:C TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MT47H256M8EB-25E:C TR | Micron 镁光 | DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.8V 60Pin FBGA T/R | 搜索库存 |
替代型号MT47H256M8EB-25E:C TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MT47H256M8EB-25E:C TR 品牌： Micron 镁光 封装： BGA | 当前型号 | DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.8V 60Pin FBGA T/R | 当前型号 |
| 型号： MT47H256M8EB-25E:C 品牌： 镁光 封装： FBGA | 完全替代 | DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | MT47H256M8EB-25E:C TR和MT47H256M8EB-25E:C的区别 |