APT5020BVFRG、APT5020BVRG、FDA28N50F对比区别

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型号 APT5020BVFRG APT5020BVRG FDA28N50F

描述 TO-247 N-CH 500V 26ATO-247 N-CH 500V 26AUniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247 TO-247 TO-3-3

额定电压(DC) 500 V 500 V -

额定电流 26.0 A 26.0 A -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 300 W 300 W 310 W

输入电容 4.44 nF 4.44 nF -

栅电荷 225 nC 225 nC -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 26.0 A 26.0 A 28A

上升时间 10 ns 10 ns 137 ns

输入电容(Ciss) 3700pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 5387pF @25V(Vds)

下降时间 8 ns 8 ns 101 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300000 mW 300000 mW 310W (Tc)

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 175 mΩ

漏源击穿电压 - - 500 V

额定功率(Max) - - 310 W

封装 TO-247 TO-247 TO-3-3

长度 - - 15.8 mm

宽度 - - 5 mm

高度 - - 20.1 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)