STB21NM60N、STB24NM60N、STW24NM60N对比区别

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型号 STB21NM60N STB24NM60N STW24NM60N

描述 N沟道600V - 0.19欧姆 - 17 A TO - 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFETSTMICROELECTRONICS  STB24NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STW24NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-247-3

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 190 mΩ 0.168 Ω 0.168 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 140W (Tc) 125 W 125 W

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

上升时间 15 ns 16.5 ns 16.5 ns

输入电容(Ciss) 1900pF @50V(Vds) 1400pF @50V(Vds) 1400pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 125 W 125 W

下降时间 31 ns 37 ns 37 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) 125W (Tc) 125W (Tc)

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 17.0 A - -

输入电容 1.95 nF - -

栅电荷 66.6 nC - -

漏源击穿电压 600 V - -

栅源击穿电压 ±25.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 17.0 A - -

长度 - 10.75 mm 15.75 mm

宽度 - 10.4 mm 5.15 mm

高度 - 4.6 mm 20.15 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-247-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17