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LET9045S、LET9045STR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LET9045S LET9045STR

描述 在塑料包装射频功率晶体管LDMOS增强技术 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic PackageTrans RF MOSFET N-CH 65V 5A 3Pin PowerSO-10RF (Straight lead) T/R

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 3 3

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF

频率 960 MHz 960 MHz

通道数 - 1

耗散功率 79000 mW 79 W

漏源击穿电压 - 80 V

输出功率 59 W 45 W

增益 17.5 dB 18.5 dB

测试电流 300 mA 300 mA

输入电容(Ciss) 59pF @28V(Vds) 59pF @28V(Vds)

工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 79000 mW 79000 mW

额定电压 80 V 80 V

额定电流 9 A -

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 -