LET9045STR中文资料参数规格
技术参数
频率 960 MHz
通道数 1
耗散功率 79 W
漏源击穿电压 80 V
输出功率 45 W
增益 18.5 dB
测试电流 300 mA
输入电容Ciss 59pF @28VVds
工作温度Max 165 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 79000 mW
额定电压 80 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PowerSO-10RF
外形尺寸
封装 PowerSO-10RF
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
LET9045STR引脚图与封装图
暂无图片
在线购买LET9045STR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| LET9045STR | ST Microelectronics 意法半导体 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 5A 3Pin PowerSO-10RF Straight lead T/R | 搜索库存 |
替代型号LET9045STR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： LET9045STR 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： PowerSO-10RF | 当前型号 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 5A 3Pin PowerSO-10RF Straight lead T/R | 当前型号 |
| 型号： LET9045S 品牌： 意法半导体 封装： PowerSO-10RF 79000mW | 类似代替 | 在塑料包装射频功率晶体管LDMOS增强技术 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package | LET9045STR和LET9045S的区别 |