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MC10EP16D、SN65LVDS100D、MC100LVEL16DG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC10EP16D SN65LVDS100D MC100LVEL16DG

描述 评估板手册高频SOIC 8 Evaluation Board Manual for High Frequency SOIC 8TEXAS INSTRUMENTS  SN65LVDS100D  芯片, 中继器 LVDSON SEMICONDUCTOR  MC100LVEL16DG  芯片, ECL 100 逻辑器件

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 逻辑芯片电压电平转换器逻辑芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 3.00V (min) 3.00V (min)

无卤素状态 - - Halogen Free

供电电流 - 25 mA 24 mA

针脚数 - 8 8

位数 - - 1

逻辑门个数 - - 2

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 - 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.8V

电源电压(Max) - 3.6 V 3.8 V

电源电压(Min) - 3 V 3 V

输出电流 - 12 µA -

通道数 - 1 -

耗散功率 - 481 mW -

数据速率 - 2.00 Gbps -

输入电容 - .6 pF -

上升时间 - 220 ps -

输入电压(Max) - 0.1 V -

输入电压(Min) - 0.1 V -

输出电压(Max) - 0.454 V -

输入电流(Min) - 66 μA -

输入数 - 2 -

下降时间 - 220 ps -

耗散功率(Max) - 481 mW -

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.91 mm 4 mm

高度 - 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99