IPD053N08N3GATMA1、IPD053N08N3GBTMA1、IPD068P03L3GBTMA1对比区别

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型号 IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GBTMA1 IPD068P03L3GBTMA1

描述 IPD053N08N3GATMA1 编带DPAK N-CH 80V 90AINFINEON  IPD068P03L3GBTMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 - 1 -

漏源极电阻 0.0044 Ω 4.4 mΩ 0.005 Ω

极性 N-Channel N-Channel P-Channel

耗散功率 150 W 150 W 100 W

阈值电压 2.8 V 2 V 1.5 V

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 30 V

漏源击穿电压 - 80 V -

连续漏极电流(Ids) 90A 90A 70A

上升时间 66 ns 66 ns 100 ns

输入电容(Ciss) 4750pF @40V(Vds) 4750pF @40V(Vds) 7720pF @15V(Vds)

下降时间 10 ns 10 ns 31 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 100W (Tc)

额定功率 - - 100 W

针脚数 - - 3

输入电容 3570 pF - -

额定功率(Max) 150 W - -

长度 - 6.5 mm 6.5 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.3 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17