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IPD068P03L3GBTMA1

IPD068P03L3GBTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPD068P03L3GBTMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V 新

表面贴装型 P 通道 30 V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3


得捷:
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3


贸泽:
MOSFET P-Ch -30V -70A DPAK-2 OptiMOS P3


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 30 V, 70 A, 0.005 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 70A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3


Newark:
# INFINEON  IPD068P03L3GBTMA1  MOSFET, P-CH, -30V, -70A, TO-252-3 New


IPD068P03L3GBTMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 100 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.005 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 100 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 70A

上升时间 100 ns

输入电容Ciss 7720pF @15VVds

下降时间 31 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPD068P03L3GBTMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD068P03L3GBTMA1
型号 制造商 描述 购买
IPD068P03L3GBTMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPD068P03L3GBTMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V 新 搜索库存
替代型号IPD068P03L3GBTMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPD068P03L3GBTMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-252 P-Channel 30V 70A

当前型号

INFINEON  IPD068P03L3GBTMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V 新

当前型号

型号： IPD068P03L3GATMA1

品牌： 英飞凌

封装： REEL P-Channel

完全替代

INFINEON  IPD068P03L3GATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V

IPD068P03L3GBTMA1和IPD068P03L3GATMA1的区别

型号： IPD042P03L3GATMA1

品牌： 英飞凌

封装： REEL P-Channel

类似代替

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IPD068P03L3GBTMA1和IPD042P03L3GATMA1的区别

型号： IPD053N08N3GATMA1

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 80V 90A

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