IPD053N08N3GATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD053N08N3GATMA1中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0044 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 2.8 V
输入电容 3570 pF
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 90A
上升时间 66 ns
输入电容Ciss 4750pF @40VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Motor Drive & Control, Communications & Networking, Power Management, Consumer Electronics
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
IPD053N08N3GATMA1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD053N08N3GATMA1 | Infineon 英飞凌 | IPD053N08N3GATMA1 编带 | 搜索库存 |
替代型号IPD053N08N3GATMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD053N08N3GATMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL N-Channel 80V 90A | 当前型号 | IPD053N08N3GATMA1 编带 | 当前型号 |
| 型号： IPD068P03L3GBTMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-252 P-Channel 30V 70A | 类似代替 | INFINEON IPD068P03L3GBTMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V 新 | IPD053N08N3GATMA1和IPD068P03L3GBTMA1的区别 |
| 型号： IPD053N08N3GBTMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-Channel 80V 90A | 类似代替 | DPAK N-CH 80V 90A | IPD053N08N3GATMA1和IPD053N08N3GBTMA1的区别 |