FQA7N80、SPP11N80C3、SPA04N80C3对比区别
型号 FQA7N80 SPP11N80C3 SPA04N80C3
描述 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFETINFINEON SPP11N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 VINFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-3-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 800 V 800 V 800 V
额定电流 7.20 A 11.0 A 4.00 A
漏源极电阻 1.50 Ω 0.39 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 198W (Tc) 156 W 38 W
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
漏源击穿电压 800 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 7.20 A 11.0 A 4.00 A
输入电容(Ciss) 1850pF @25V(Vds) 1600pF @100V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 198 W 156 W 38 W
耗散功率(Max) 198W (Tc) 156 W 38W (Tc)
额定功率 - 156 W 38 W
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 3 V 3 V
上升时间 - 15 ns 15 ns
下降时间 - 7 ns 12 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
封装 TO-3-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.36 mm 10.65 mm
宽度 - 4.57 mm 4.85 mm
高度 - 9.45 mm 16.15 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99