额定电压DC 800 V
额定电流 7.20 A
漏源极电阻 1.50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 198W Tc
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 7.20 A
输入电容Ciss 1850pF @25VVds
额定功率Max 198 W
耗散功率Max 198W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FQA7N80 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-3P-3 N-Channel 800V 7.2A 1.5ohms | 当前型号 | 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET | 当前型号 | |
型号: SPP11N80C3 品牌: 英飞凌 封装: TO-220AB N-Channel 800V 11A | 功能相似 | INFINEON SPP11N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V | FQA7N80和SPP11N80C3的区别 | |
型号: SPA04N80C3 品牌: 英飞凌 封装: TO-220 N-Channel 800V 4A | 功能相似 | INFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V | FQA7N80和SPA04N80C3的区别 | |
型号: STD6N95K5 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 950V 9A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD6N95K5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 V | FQA7N80和STD6N95K5的区别 |