BUV27、BUV27G对比区别

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型号 BUV27 BUV27G

描述 NPN硅功率晶体管 NPN Silicon Power TransistorNPN硅功率晶体管 NPN Silicon Power Transistor

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3

极性 NPN NPN

耗散功率 70 W 70 W

击穿电压(集电极-发射极) 120 V 120 V

集电极最大允许电流 12A 12A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

额定电压(DC) - 120 V

额定电流 - 12.0 A

针脚数 - 3

额定功率(Max) - 70 W

耗散功率(Max) - 70000 mW

长度 10.28 mm 10.53 mm

宽度 4.82 mm 4.83 mm

高度 9.28 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Unknown Active

最小包装 50 -

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

材质 - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99