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BUV27G

NPN硅功率晶体管 NPN Silicon Power Transistor

NPN Silicon Power Transistor

This device is designed for use in switching regulators and motor control.

Features

• Low Collection Emitter Saturation Voltage

• Fast Switching Speed

• Pb−Free Package is Available
.

得捷:
TRANS NPN 120V 12A TO220


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 8A 120V 70W NPN


艾睿:
Trans GP BJT NPN 120V 12A 70000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


富昌:
BUV 系列 120 V 12 A 法兰安装 NPN 硅 功率 晶体管 - TO-220AB


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 240V; 15A; 85W; TO220AB


Verical:
Trans GP BJT NPN 120V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BUV27G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 120 V, 70 W, 12 A


Win Source:
TRANS NPN 120V 12A TO-220AB


BUV27G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 120 V

额定电流 12.0 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 70 W

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 12A

额定功率Max 70 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 70000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.53 mm

宽度 4.83 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BUV27G引脚图与封装图
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在线购买BUV27G
型号 制造商 描述 购买
BUV27G ON Semiconductor 安森美 NPN硅功率晶体管 NPN Silicon Power Transistor 搜索库存
替代型号BUV27G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BUV27G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-220 NPN 120V 12A 70000mW

当前型号

NPN硅功率晶体管 NPN Silicon Power Transistor

当前型号

型号: BUV27

品牌: 安森美

封装: TO-220-3 NPN

完全替代

NPN硅功率晶体管 NPN Silicon Power Transistor

BUV27G和BUV27的区别

型号: NTE379

品牌: NTE Electronics

封装: TO-220 NPN 100W

功能相似

NTE ELECTRONICS  NTE379  双极性晶体管

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