IPW65R660CFD、SPW07N60CFD对比区别
描述 INFINEON IPW65R660CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 VINFINEON SPW07N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 650 V, 0.59 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.594 Ω 0.59 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 62.5 W 83 W
阈值电压 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 6A 6.60 A
上升时间 8 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 615pF @100V(Vds) 790pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 62.5 W 83 W
下降时间 10 ns 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 62.5 W -
长度 16.13 mm 16.13 mm
宽度 21.1 mm 5.21 mm
高度 5.21 mm 21.1 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 150℃