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IPW65R660CFD、SPW07N60CFD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPW65R660CFD SPW07N60CFD

描述 INFINEON  IPW65R660CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  SPW07N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 650 V, 0.59 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.594 Ω 0.59 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 62.5 W 83 W

阈值电压 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 6A 6.60 A

上升时间 8 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 615pF @100V(Vds) 790pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 62.5 W 83 W

下降时间 10 ns 9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 62.5 W -

长度 16.13 mm 16.13 mm

宽度 21.1 mm 5.21 mm

高度 5.21 mm 21.1 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃