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IPW65R660CFD

IPW65R660CFD

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPW65R660CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V

CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET

### MOSFET ，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


欧时:
### Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


DeviceMart:
MOSFET N-CH 700V 6.0A TO247


IPW65R660CFD中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.594 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 62.5 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 6A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 615pF @100VVds

额定功率Max 62.5 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 62.5 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 21.1 mm

高度 5.21 mm

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPW65R660CFD引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPW65R660CFD Infineon 英飞凌 INFINEON  IPW65R660CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号IPW65R660CFD
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPW65R660CFD

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-247-3 N-Channel 650V 6A

当前型号

INFINEON  IPW65R660CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号： SPW07N60CFD

品牌： 英飞凌

封装： TO-247 N-Channel 600V 6.6A

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