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SPW07N60CFD

SPW07N60CFD

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
SPW07N60CFD中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.59 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 6.60 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 790pF @25VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

SPW07N60CFD引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SPW07N60CFD Infineon 英飞凌 INFINEON  SPW07N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 650 V, 0.59 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号SPW07N60CFD
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SPW07N60CFD

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-247 N-Channel 600V 6.6A

当前型号

INFINEON  SPW07N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 650 V, 0.59 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: IPW65R660CFD

品牌: 英飞凌

封装: TO-247-3 N-Channel 650V 6A

类似代替

INFINEON  IPW65R660CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V

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型号: IXFH26N60Q

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247 N-Channel 600V 26A 250mΩ

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型号: IXTH20N60

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3 N-Channel 600V 20A 4.5nF

功能相似

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin3+Tab TO-247AD

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