
针脚数 3
漏源极电阻 0.59 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 6.60 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 790pF @25VVds
额定功率Max 83 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SPW07N60CFD | Infineon 英飞凌 | INFINEON SPW07N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 650 V, 0.59 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SPW07N60CFD 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-247 N-Channel 600V 6.6A | 当前型号 | INFINEON SPW07N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 650 V, 0.59 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 | |
型号: IPW65R660CFD 品牌: 英飞凌 封装: TO-247-3 N-Channel 650V 6A | 类似代替 | INFINEON IPW65R660CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V | SPW07N60CFD和IPW65R660CFD的区别 | |
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型号: IXTH20N60 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 N-Channel 600V 20A 4.5nF | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin3+Tab TO-247AD | SPW07N60CFD和IXTH20N60的区别 |