MMBF5459、PMBFJ109,215、MMBFJ310LT3G对比区别

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型号 MMBF5459 PMBFJ109,215 MMBFJ310LT3G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF5459.…  场效应管, JFET, N沟道, -25V, SOT-23NXP  PMBFJ109,215.  射频场效应管, JFET, N沟道, 25V, 40mA, 3-SOT-23N 通道 JFET，ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 25.0 V - 25.0 V

额定电流 16.0 mA - 10.0 mA

无卤素状态 - - Halogen Free

击穿电压 -25.0 V -25.0 V -25.0 V

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 350 mW 250 mW 225 mW

输入电容 - - 5.00 pF

漏源极电压(Vds) 25.0 V 25 V 25 V

栅源击穿电压 25.0 V - 25.0 V

增益 - - 12 dB

测试电流 - - 10 mA

击穿电压 25 V 25 V 25 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

额定电压 - - 25 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 mA - -

输入电容(Ciss) 7pF @15V(Vds) 30pF @10V(Vgs) -

额定功率(Max) 350 mW 250 mW -

额定功率 - 250 mW -

漏源极电阻 - 12 Ω -

耗散功率(Max) - 250 mW -

长度 2.92 mm 3 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 1.4 mm 1.4 mm

高度 0.93 mm 1 mm 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99