锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

EMC5DXV5T1、EMC5DXV5T1G、EMC5DXV5T5对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 EMC5DXV5T1 EMC5DXV5T1G EMC5DXV5T5

描述 双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor NetworkON Semiconductor### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管 Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 SOT-553-5 SOT-553-5 SOT-553

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 5 5 -

极性 NPN+PNP NPN+PNP NPN+PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

耗散功率 357 mW 0.5 W -

最小电流放大倍数(hFE) 80 20 -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 357 mW 500 mW -

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

封装 SOT-553-5 SOT-553-5 SOT-553

长度 1.7 mm 1.7 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 0.55 mm 0.6 mm -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - EAR99 -