EMC5DXV5T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN+PNP
耗散功率 357 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 357 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-553-5
外形尺寸
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.55 mm
封装 SOT-553-5
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
EMC5DXV5T1引脚图与封装图
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在线购买EMC5DXV5T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EMC5DXV5T1 | ON Semiconductor 安森美 | 双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network | 搜索库存 |
替代型号EMC5DXV5T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMC5DXV5T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-553 NPN PNP 50V 100mA 357mW | 当前型号 | 双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network | 当前型号 |
| 型号： EMC5DXV5T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-553 NPN PNP 50V 100mA 500mW | 类似代替 | ON Semiconductor### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | EMC5DXV5T1和EMC5DXV5T1G的区别 |
| 型号： EMC5DXV5T5 品牌： 安森美 封装： | 类似代替 | 双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管 Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors | EMC5DXV5T1和EMC5DXV5T5的区别 |