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IRG4BC30W-SPBF、IRG4BC30W-STRL、IRG4BC30W-S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4BC30W-SPBF IRG4BC30W-STRL IRG4BC30W-S

描述 IGBT 超过 21A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 - -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 100 W 100 W 100 W

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 23.0 A

额定功率 100 W - 100 W

耗散功率 100000 mW - 100 W

产品系列 - - IRG4BC30W-S

上升时间 - - 16.0 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 100 W - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm - -

宽度 9.65 mm - -

高度 4.83 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -