IRG4BC30W-STRL
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
IRG4BC30W-STRL中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 100 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRG4BC30W-STRL引脚图与封装图
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在线购买IRG4BC30W-STRL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRG4BC30W-STRL | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号IRG4BC30W-STRL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRG4BC30W-STRL 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 |
| 型号： IRG4BC30W-SPBF 品牌： 英飞凌 封装： TO-263-3 100000mW | 完全替代 | IGBT 超过 21A，Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 SFM 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。 | IRG4BC30W-STRL和IRG4BC30W-SPBF的区别 |