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IRG4BC30W-S

IRG4BC30W-S

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin2+Tab D2PAK Tube

IGBT - 600 V 23 A 100 W 表面贴装型 D2PAK


得捷:
IGBT 600V 23A 100W D2PAK


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin 2+Tab D2PAK


IRG4BC30W-S中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 23.0 A

额定功率 100 W

耗散功率 100 W

产品系列 IRG4BC30W-S

上升时间 16.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 100 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRG4BC30W-S引脚图与封装图
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在线购买IRG4BC30W-S
型号 制造商 描述 购买
IRG4BC30W-S Infineon 英飞凌 Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin2+Tab D2PAK Tube 搜索库存
替代型号IRG4BC30W-S
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRG4BC30W-S

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-263-3 600V 23A 100W

当前型号

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin2+Tab D2PAK Tube

当前型号

型号: IRG4BC30W-SPBF

品牌: 英飞凌

封装: TO-263-3 100000mW

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IRG4BC30W-S和IRG4BC30W-SPBF的区别