SI7112DN-T1-GE3、SIS402DN-T1-GE3、IRFH3702TRPBF对比区别

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型号 SI7112DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 IRFH3702TRPBF

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A 8Pin PowerPAK 1212 T/RVISHAY  SIS402DN-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 35A POWERPAK, 整卷INFINEON  IRFH3702TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0057 ohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

引脚数 8 8 8

封装 1212 1212 QFN-8

安装方式 - - Surface Mount

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.006 Ω 0.0048 Ω 0.0057 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 1.5 W 3.8 W 2.8 W

阈值电压 600 mV 3 V 1.8 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定功率 - - 2.8 W

通道数 - - 1

连续漏极电流(Ids) - 35.0 A 16A

上升时间 - 20 ns 15 ns

输入电容(Ciss) - 1700pF @15V(Vds) 1510pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 2.8 W

下降时间 - 15 ns 5.8 ns

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 3800 mW 2.8W (Ta)

封装 1212 1212 QFN-8

长度 - - 3 mm

宽度 - - 3 mm

高度 - 1.07 mm 0.95 mm

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 - - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)