SI7112DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.006 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.5 W
阈值电压 600 mV
漏源极电压Vds 30 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 1212
外形尺寸
封装 1212
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI7112DN-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI7112DN-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7112DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A 8Pin PowerPAK 1212 T/R | 搜索库存 |
替代型号SI7112DN-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7112DN-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： PowerPAK N-Channel | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A 8Pin PowerPAK 1212 T/R | 当前型号 |
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