SIS402DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0048 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.8 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 1700pF @15VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3800 mW
封装参数
引脚数 8
封装 1212
外形尺寸
高度 1.07 mm
封装 1212
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIS402DN-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SIS402DN-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIS402DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIS402DN-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 35A POWERPAK, 整卷 | 搜索库存 |
替代型号SIS402DN-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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