IRFS31N20DPBF、STB40NF20、STB19NF20对比区别

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型号 IRFS31N20DPBF STB40NF20 STB19NF20

描述 N沟道 200V 31ASTMICROELECTRONICS  STB40NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 VSTB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAK

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 200 V 200 V -

额定电流 31.0 A 40.0 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 82 mΩ 0.045 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 3.1 W 160 W 90 W

阈值电压 5.5 V 3 V -

输入电容 - 2.50 nF -

栅电荷 - 75.0 nC -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 31.0 A 25.0 A, 40.0 A -

上升时间 38.0 ns 44 ns 22 ns

输入电容(Ciss) 2370pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W 160 W 90 W

下降时间 - 22 ns 11 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 160W (Tc) 90W (Tc)

通道数 - - 1

产品系列 IRFS31N20D - -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

长度 - 10.4 mm 10.75 mm

宽度 - 9.35 mm 10.4 mm

高度 - 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99