IRFS31N20DPBF
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International Rectifier
国际整流器
分立器件
IRFS31N20DPBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 31.0 A
漏源极电阻 82 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
产品系列 IRFS31N20D
阈值电压 5.5 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 31.0 A
上升时间 38.0 ns
输入电容Ciss 2370pF @25VVds
额定功率Max 3.1 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRFS31N20DPBF引脚图与封装图
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在线购买IRFS31N20DPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFS31N20DPBF | International Rectifier 国际整流器 | N沟道 200V 31A | 搜索库存 |
替代型号IRFS31N20DPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFS31N20DPBF 品牌： International Rectifier 国际整流器 封装： TO-263-3 N-Channel 200V 31A | 当前型号 | N沟道 200V 31A | 当前型号 |
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| 型号： STB19NF20 品牌： 意法半导体 封装： TO-263-3 | 功能相似 | STB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAK | IRFS31N20DPBF和STB19NF20的区别 |