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STB19NF20

STB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAK

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB19NF20, 15 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
STB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAK


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.45A; 90W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 200V 15A 160mOhm TO263-3 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK


STB19NF20中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 90 W

漏源极电压Vds 200 V

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 800pF @25VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.75 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STB19NF20引脚图与封装图
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在线购买STB19NF20
型号 制造商 描述 购买
STB19NF20 ST Microelectronics 意法半导体 STB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAK 搜索库存
替代型号STB19NF20
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STB19NF20

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-263-3

当前型号

STB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAK

当前型号

型号: IRF640NSTRLPBF

品牌: 国际整流器

封装: TO-263-3 N-Channel 200V 18A

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STB19NF20和IRF640NSTRLPBF的区别

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品牌: 威世

封装: TO-263-3 N-Channel 200V 18A 180mΩ

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功率MOSFET Power MOSFET

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型号: IRFS31N20DPBF

品牌: 国际整流器

封装: TO-263-3 N-Channel 200V 31A

功能相似

N沟道 200V 31A

STB19NF20和IRFS31N20DPBF的区别