2SK3019TL、RUR040N02TL、2N7002ET3G对比区别

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型号 2SK3019TL RUR040N02TL 2N7002ET3G

描述 ROHM  2SK3019TL  晶体管, MOSFET, 低栅极驱动器, N沟道, 100 mA, 30 V, 13 ohm, 4 V, 1.5 VROHM  RUR040N02TL  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 300 mV小信号N沟道SOT-23-3封装场效应管

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 100 mA - -

通道数 1 - 1

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 13 Ω 0.025 Ω 2.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 150 mW 1 W 300 mW

阈值电压 1.5 V 300 mV -

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 60 V

漏源击穿电压 30 V - 60 V

连续漏极电流(Ids) 100 mA - 310 mA

上升时间 35 ns 30 ns 1.2 ns

输入电容(Ciss) 13pF @5V(Vds) 680pF @10V(Vds) 26.7pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 150 mW 1 W 300 mW

下降时间 80 ns 60 ns 3.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 150mW (Ta) 1W (Ta) 300 mW

长度 1.6 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 0.8 mm 1.6 mm 1.3 mm

高度 0.7 mm 0.8 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99