BD139、BD139G对比区别
描述 功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICONPNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-126-3 TO-126-3
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V
额定电流 1.50 A 1.50 A
针脚数 - 3
极性 NPN NPN
耗散功率 - 1.25 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V
集电极最大允许电流 1.5A 1.5A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 25
额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W
直流电流增益(hFE) - 40
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 1250 mW
频率 - -
最大电流放大倍数(hFE) 250 -
长度 - 7.74 mm
宽度 - 2.66 mm
高度 - 11.04 mm
封装 TO-126-3 TO-126-3
材质 - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Bulk Bulk
最小包装 500 -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99