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BD139

功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICON

**1.5 A POWER TRANSISTORS NPN SILICON 45, 60, 80 V, 12.5 W**

This series of plastic, medium−power silicon NPN transistors are designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

Features

•High DC Current Gain

•BD 135, 137, 139 are complementary with BD 136, 138, 140

•These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant


得捷:
TRANS NPN 80V 1.5A TO225AA


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 1.5A 80V 12.5W NPN


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TO-225 Bulk


BD139中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.50 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 1.25 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-126-3

外形尺寸

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

最小包装 500

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

BD139引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BD139 ON Semiconductor 安森美 功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICON 搜索库存
替代型号BD139
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BD139

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-225-3 NPN 80V 1.5A

当前型号

功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICON

当前型号

型号: BD139G

品牌: 安森美

封装: TO-225AA NPN 80V 1.5A 1250mW

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BD139和BD139G的区别