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BC846BLT1G、BC846BMTF、BC 846B B5003对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC846BLT1G BC846BMTF BC 846B B5003

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC846BLT1G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 290 hFEON Semiconductor BC846BMTF , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=65 V, HFE:110, 300 MHz, 3引脚 SOT-23封装双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 -

耗散功率 300 mW 310 mW 330 mW

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 110 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 225 mW 310 mW 330 mW

直流电流增益(hFE) 200 200 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 310 mW -

额定电压(DC) 65.0 V - 65.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

频率 100 MHz - -

额定功率 300 mW - -

无卤素状态 Halogen Free - -

极性 NPN - -

增益频宽积 100 MHz - -

集电极最大允许电流 0.1A - -

最大电流放大倍数(hFE) 450 - -

长度 2.9 mm 2.92 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.94 mm 0.93 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -