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BC 846B B5003

BC 846B B5003

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

- 双极 BJT - 单 NPN 65 V 100 mA 250MHz 330 mW 表面贴装型 SOT-23-3


得捷:
TRANS NPN 65V 0.1A SOT23


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR


BC 846B B5003中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 65.0 V

额定电流 100 mA

耗散功率 330 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC 846B B5003引脚图与封装图
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BC 846B B5003 Infineon 英飞凌 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR 搜索库存
替代型号BC 846B B5003
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC 846B B5003

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-23 65V 100mA

当前型号

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

当前型号

型号: BC846BLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 65V 100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC846BLT1G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 290 hFE

BC 846B B5003和BC846BLT1G的区别

型号: BC846B-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-23 NPN 65V 100mA 350mW

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BC846B 系列 NPN 65 V 300 mW 小信号晶体管 表面贴装 - SOT-23-3

BC 846B B5003和BC846B-7-F的区别

型号: BC846BLT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 65V 100mA 300mW

功能相似

NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

BC 846B B5003和BC846BLT3G的区别