PZT2222AT1、PZT2907AT1G、PZT2222AT1G对比区别

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型号 PZT2222AT1 PZT2907AT1G PZT2222AT1G

描述 NPN硅晶体管表面贴装 NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNTON SEMICONDUCTOR  PZT2907AT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 200 hFEON SEMICONDUCTOR  PZT2222AT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 1.5 W, 600 mA, 300 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

频率 300 MHz 200 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 40.0 V -60.0 V 40.0 V

额定电流 600 mA -600 mA 600 mA

针脚数 - 4 4

极性 - PNP, P-Channel NPN

耗散功率 1.5 W 1.5 W 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 60 V 40 V

热阻 - - 83.3℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 - 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W 1.5 W

直流电流增益(hFE) - 200 300

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1500 mW 1.5 W 1500 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 300 -

长度 6.5 mm 6.5 mm 6.5 mm

宽度 3.5 mm 3.5 mm 3.5 mm

高度 1.57 mm 1.57 mm 1.57 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99