PZT2222AT1
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
PZT2222AT1中文资料参数规格
技术参数
频率 300 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.57 mm
封装 TO-261-4
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
PZT2222AT1引脚图与封装图
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在线购买PZT2222AT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PZT2222AT1 | ON Semiconductor 安森美 | NPN硅晶体管表面贴装 NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT | 搜索库存 |
替代型号PZT2222AT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PZT2222AT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-223 40V 600mA 1.5W | 当前型号 | NPN硅晶体管表面贴装 NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT | 当前型号 |
| 型号： PZT2222AT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 40V 600mA 1500mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR PZT2222AT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 1.5 W, 600 mA, 300 hFE | PZT2222AT1和PZT2222AT1G的区别 |
| 型号： PZT2907AT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 PNP -60V -600mA 1500mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR PZT2907AT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 200 hFE | PZT2222AT1和PZT2907AT1G的区别 |
| 型号： PZT2222AT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 40V 600mA 1500mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR PZT2222AT3G 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 1.5 W, 600 mA, 35 hFE | PZT2222AT1和PZT2222AT3G的区别 |