APT7F120B、STW6N120K3对比区别

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型号 APT7F120B STW6N120K3

描述 N沟道FREDFET 1200V ， 7A ， 2.4Ω最大， TRR ≤190ns N-Channel FREDFET 1200V, 7A, 2.4Ω Max, trr ≤190nsSTMICROELECTRONICS  STW6N120K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 1.20 kV -

额定电流 6.60 A -

耗散功率 335 W 150 W

漏源极电压(Vds) 1200 V 1200 V

连续漏极电流(Ids) 6.60 A 6A

上升时间 8 ns -

输入电容(Ciss) 2565pF @25V(Vds) 1050pF @100V(Vds)

下降时间 13 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 335W (Tc) 150W (Tc)

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 1.95 Ω

极性 - N-Channel

阈值电压 - 4 V

额定功率(Max) - 150 W

封装 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 15.75 mm

宽度 - 5.15 mm

高度 - 20.15 mm

材质 Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99