APT7F120B
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT7F120B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 6.60 A
耗散功率 335 W
漏源极电压Vds 1200 V
连续漏极电流Ids 6.60 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 2565pF @25VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 335W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT7F120B引脚图与封装图
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在线购买APT7F120B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT7F120B | Microsemi 美高森美 | N沟道FREDFET 1200V ， 7A ， 2.4Ω最大， TRR ≤190ns N-Channel FREDFET 1200V, 7A, 2.4Ω Max, trr ≤190ns | 搜索库存 |
替代型号APT7F120B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT7F120B 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 1.2kV 6.6A | 当前型号 | N沟道FREDFET 1200V ， 7A ， 2.4Ω最大， TRR ≤190ns N-Channel FREDFET 1200V, 7A, 2.4Ω Max, trr ≤190ns | 当前型号 |
| 型号： STW6N120K3 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 1200V 6A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW6N120K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 V | APT7F120B和STW6N120K3的区别 |