BSC060N10NS3GATMA1、BSC070N10NS3GATMA1、IRFH5010TRPBF对比区别

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型号 BSC060N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 IRFH5010TRPBF

描述 INFINEON  BSC060N10NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 VINFINEON  BSC070N10NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 0.0063 ohm, 10 V, 2.7 VINFINEON  IRFH5010TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 4 V 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PowerVDFN-8

额定功率 125 W 114 W 250 W

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0053 Ω 0.0063 Ω 0.0075 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 125 W 114 W 3.6 W

阈值电压 2.7 V 2.7 V 2 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 14.9A 90A 100 A

上升时间 16 ns 10 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 3700pF @50V(Vds) 4000pF @50V(Vds) 4340pF @25V(Vds)

下降时间 12 ns 8 ns 8.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 125W (Tc) 114W (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc)

产品系列 - - IRFH5010

输入电容 - - 4340 pF

长度 5.35 mm 6.1 mm 6 mm

宽度 6.1 mm 5.35 mm 5 mm

高度 1.1 mm 1.1 mm 0.85 mm

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PowerVDFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17