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BSC070N10NS3GATMA1

BSC070N10NS3GATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSC070N10NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 0.0063 ohm, 10 V, 2.7 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上


得捷:
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC070N10NS3GATMA1, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 8-Pin TDSON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8


BSC070N10NS3GATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 114 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.0063 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 114 W

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 4000pF @50VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 114W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 6.1 mm

宽度 5.35 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 车用, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Audio, Industrial, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Uninterruptable power supplies UPS, 电源管理, Class D audi, Power Management, Motor Drive & Control, Automotive, 电机驱动与控制, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 音频

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSC070N10NS3GATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSC070N10NS3GATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  BSC070N10NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 0.0063 ohm, 10 V, 2.7 V 搜索库存
替代型号BSC070N10NS3GATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSC070N10NS3GATMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 90A

当前型号

INFINEON  BSC070N10NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 0.0063 ohm, 10 V, 2.7 V

当前型号

型号: BSC060N10NS3GATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 14.9A

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