DS1230W-100IND、DS1230W-100IND+、DS1230W-100对比区别

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型号 DS1230W-100IND DS1230W-100IND+ DS1230W-100

描述 IC NVSRAM 256Kbit 100NS 28DIPNon-Volatile SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28IC NVSRAM 256Kbit 100NS 28DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 - 28

封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - 3.00V (min)

时钟频率 100 GHz - 100 GHz

存取时间 100 ns 100 ns 100 ns

内存容量 256000 B - 32000 B

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V -

电源电压(Min) 3 V 3 V -

长度 39.12 mm 39.12 mm 39.12 mm

宽度 18.29 mm 18.29 mm 18.29 mm

高度 9.4 mm 9.4 mm 9.4 mm

封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅