DS1230W-100IND

Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

IC NVSRAM 256Kbit 100NS 28DIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 256Kb 32K x 8 Parallel 100ns 28-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

贸泽:
NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM

DS1230W-100IND中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 256000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 EDIP-28

外形尺寸

长度 39.12 mm

宽度 18.29 mm

高度 9.4 mm

封装 EDIP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

DS1230W-100IND引脚图与封装图

DS1230W-100IND引脚图

DS1230W-100IND封装图

DS1230W-100IND封装焊盘图

在线购买DS1230W-100IND

型号	制造商	描述	购买
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替代型号DS1230W-100IND

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： DS1230W-100IND 品牌： Maxim Integrated 美信封装： DIP 256000B 3.3V 100ns 28Pin	当前型号	IC NVSRAM 256Kbit 100NS 28DIP	当前型号
型号： DS1230W-100IND+ 品牌：美信封装： MOD	类似代替	Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28	DS1230W-100IND和DS1230W-100IND+的区别
型号： DS1230W-100 品牌：美信封装： EDIP 32000B 3V 100ns 28Pin	类似代替	IC NVSRAM 256Kbit 100NS 28DIP	DS1230W-100IND和DS1230W-100的区别
型号： DS1230W-100+ 品牌：美信封装： EDIP 32000B 3V 28Pin	功能相似	MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230W-100+ 芯片, 存储器, NVRAM	DS1230W-100IND和DS1230W-100+的区别