STB12NM50、STB12NM50T4对比区别

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型号 STB12NM50 STB12NM50T4

描述 N沟道550V @ TJMAX - 0.30ヘ - 12A TO- 220 / FP / D2 / I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 550V @ tjmax - 0.30ヘ - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STB12NM50T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 550 V, 0.3 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

封装 D2PAK TO-263-3

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

极性 N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 500 V 550 V

连续漏极电流(Ids) 12A 12.0 A

额定电压(DC) - 550 V

额定电流 - 12.0 A

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.3 Ω

耗散功率 - 160 W

阈值电压 - 4 V

输入电容 - 1.00 nF

栅电荷 - 39.0 nC

漏源击穿电压 - 500 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

上升时间 - 10 ns

输入电容(Ciss) - 1000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 160 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 160W (Tc)

封装 D2PAK TO-263-3

长度 - 10.4 mm

宽度 - 9.35 mm

高度 - 4.6 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ)