STB12NM50
数据手册.pdf
ST Microelectronics
意法半导体
分立器件
STB12NM50中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 12A
封装参数
封装 D2PAK
外形尺寸
封装 D2PAK
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STB12NM50引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STB12NM50
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB12NM50 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道550V @ TJMAX - 0.30ヘ - 12A TO- 220 / FP / D2 / I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 550V @ tjmax - 0.30ヘ - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STB12NM50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STB12NM50 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： D2PAK N-CH 500V 12A | 当前型号 | N沟道550V @ TJMAX - 0.30ヘ - 12A TO- 220 / FP / D2 / I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 550V @ tjmax - 0.30ヘ - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STB12NM50T4 品牌： 意法半导体 封装： D2PAK N-Channel 500V 12A 350mΩ 1nF | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB12NM50T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 550 V, 0.3 ohm, 10 V, 4 V | STB12NM50和STB12NM50T4的区别 |
