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STB12NM50T4

STB12NM50T4

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STMICROELECTRONICS  STB12NM50T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 550 V, 0.3 ohm, 10 V, 4 V

表面贴装型 N 通道 550 V 12A（Tc） 160W（Tc） D2PAK


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N沟道 550V 12A


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MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK


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STB12NM50T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 550 V

额定电流 12.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.3 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

阈值电压 4 V

输入电容 1.00 nF

栅电荷 39.0 nC

漏源极电压Vds 550 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 1000pF @25VVds

额定功率Max 160 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STB12NM50T4引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STB12NM50T4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STB12NM50T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 550 V, 0.3 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号STB12NM50T4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STB12NM50T4

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： D2PAK N-Channel 500V 12A 350mΩ 1nF

当前型号

STMICROELECTRONICS  STB12NM50T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 550 V, 0.3 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号： STB12NM50

品牌： 意法半导体

封装： D2PAK N-CH 500V 12A

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N沟道550V @ TJMAX - 0.30ヘ - 12A TO- 220 / FP / D2 / I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 550V @ tjmax - 0.30ヘ - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET

STB12NM50T4和STB12NM50的区别