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JAN2N5666S、TIP112、BD242B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N5666S TIP112 BD242B

描述 NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTORSTMICROELECTRONICS  TIP112.  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 2 W, 2 A, 500 hFE互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-39 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 2.00 A -

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN -

耗散功率 1.2 W 2 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 200 V 100 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @1A, 5V 1000 @1A, 4V 25 @1A, 4V

额定功率(Max) 1.2 W 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) - 1000 10

工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1200 mW 2000 mW 2 W

频率 - - 3 MHz

集电极最大允许电流 5A - -

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

封装 TO-39 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Bag Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99